FF8MR12W2M1B11BOMA1

MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2

Número de pieza NOVA:

303-2250773-FF8MR12W2M1B11BOMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

FF8MR12W2M1B11BOMA1

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 150A (Tj) 20mW (Tc) Chassis Mount AG-EASY2BM-2

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	AG-EASY2BM-2
Número de producto base	FF8MR12
Paquete / Caja	Module
Serie	CoolSiC™+
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	150A (Tj)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	5.55V @ 60mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	372nC @ 15V
Función FET	Silicon Carbide (SiC)
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	11000pF @ 800V
Potencia - Máx.	20mW (Tc)
Otros nombres	SP001617622 2156-FF8MR12W2M1B11BOMA1 INFINFFF8MR12W2M1B11BOMA1

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