QS8M31TR

QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+

Número de pieza NOVA:

303-2249079-QS8M31TR

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

QS8M31TR

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TSMT8
Número de producto base	QS8M31
Paquete / Caja	8-SMD, Flat Lead
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	3A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Función FET	Standard
Tipo FET	N and P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Potencia - Máx.	1.1W (Ta)
Otros nombres	QS8M31DKR QS8M31CT

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