NTMD6N03R2G

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Número de pieza NOVA:

303-2251604-NTMD6N03R2G

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

NTMD6N03R2G

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOIC
Número de producto base	NTMD6
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	6A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	32mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	30nC @ 10V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	950pF @ 24V
Potencia - Máx.	1.29W
Otros nombres	NTMD6N03R2GOS-ND NTMD6N03R2GOSCT ONSONSNTMD6N03R2G NTMD6N03R2GOSTR NTMD6N03R2GOS NTMD6N03R2GOSDKR =NTMD6N03R2GOSCT-ND 2156-NTMD6N03R2G-OS

In stock Por favor contáctenos

?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

?Encontramos otros productos que te pueden gustar!