SQ4532AEY-T1

SQ4532AEY-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC

Número de pieza NOVA:

303-2249993-SQ4532AEY-T1_GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SQ4532AEY-T1_GE3

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array N and P-Channel 30V 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOIC
Número de producto base	SQ4532
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Función FET	Standard
Tipo FET	N and P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Potencia - Máx.	3.3W
Otros nombres	SQ4532AEY-T1_GE3CT SQ4532AEY-T1_GE3-ND SQ4532AEY-T1_GE3TR SQ4532AEY-T1_GE3DKR

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