EPC2111

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

Número de pieza NOVA:

303-2243243-EPC2111

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

EPC2111

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A (Ta) - Surface Mount Die

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	EPC
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	Die
Paquete / Caja	Die
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	16A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 5mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Función FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Potencia - Máx.	-
Otros nombres	917-1174-6 917-1174-2 917-1174-1

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