IRF7341TRPBF

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Número de pieza NOVA:

303-2249400-IRF7341TRPBF

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IRF7341TRPBF

Embalaje estándar:

4,000

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 4.7A 2W Surface Mount 8-SO

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO
Número de producto base	IRF7341
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie	HEXFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	4.7A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	36nC @ 10V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	740pF @ 25V
Potencia - Máx.	2W
Otros nombres	IRF7341PBFDKR IRF7341PBFCT IRF7341PBFTR SP001554204 *IRF7341TRPBF

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