BSM250D17P2E004

HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF

Número de pieza NOVA:

303-2248896-BSM250D17P2E004

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSM250D17P2E004

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1700V (1.7kV) 250A (Tc) 1800W (Tc) Chassis Mount Module

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	Module
Número de producto base	BSM250
Paquete / Caja	Module
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	250A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 66mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	-
Función FET	Silicon Carbide (SiC)
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1700V (1.7kV)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	30000pF @ 10V
Potencia - Máx.	1800W (Tc)

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