SIA910EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
Número de pieza NOVA:
303-2247691-SIA910EDJ-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIA910EDJ-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| Número de producto base | SIA910 | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 4.5A | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 16nC @ 8V | |
| Función FET | Logic Level Gate | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 12V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 455pF @ 6V | |
| Potencia - Máx. | 7.8W | |
| Otros nombres | SIA910EDJ-T1-GE3DKR SIA910EDJ-T1-GE3CT SIA910EDJ-T1-GE3TR SIA910EDJT1GE3 |
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