IPG20N06S4L26ATMA1

MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

Número de pieza NOVA:

303-2249398-IPG20N06S4L26ATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPG20N06S4L26ATMA1

Embalaje estándar:

5,000

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 33W Surface Mount PG-TDSON-8-4

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-4
Número de producto base	IPG20N06
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	20A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	26mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.2V @ 10µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	20nC @ 10V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1430pF @ 25V
Potencia - Máx.	33W
Otros nombres	SP000705588 IPG20N06S4L26ATMA1CT IPG20N06S4L26ATMA1DKR IPG20N06S4L26ATMA1TR

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