SQJ264EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (
Número de pieza NOVA:
303-2247768-SQJ264EP-T1_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQJ264EP-T1_GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 60V 20A (Tc), 54A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric | |
| Número de producto base | SQJ264 | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 20A (Tc), 54A (Tc) | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 16nC @ 10V, 32nC @ 10V | |
| Función FET | Standard | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V | |
| Potencia - Máx. | 27W (Tc), 48W (Tc) | |
| Otros nombres | 742-SQJ264EP-T1_GE3TR 742-SQJ264EP-T1_GE3CT SQJ264EP-T1 GE3 742-SQJ264EP-T1_GE3DKR |
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