SQJ940EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Número de pieza NOVA:
303-2361145-SQJ940EP-T1_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQJ940EP-T1_GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A (Ta), 18A (Tc) 48W, 43W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric | |
| Número de producto base | SQJ940 | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 18A (Tc) | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 20nC @ 20V | |
| Función FET | Logic Level Gate | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 896pF @ 20V | |
| Potencia - Máx. | 48W, 43W | |
| Otros nombres | SQJ940EP-T1-GE3 SQJ940EP-T1_GE3CT SQJ940EP-T1_GE3DKR SQJ940EP-T1-GE3-ND SQJ940EP-T1_GE3TR SQJ940EP-T1_GE3-ND |
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