SQJ560EP-T1_GE3
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
Número de pieza NOVA:
303-2249437-SQJ560EP-T1_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQJ560EP-T1_GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
Mosfet Array N and P-Channel 60V 30A (Tc), 18A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Número de producto base | SQJ560 | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 30A (Tc), 18A (Tc) | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 30nC @ 10V, 45nC @ 10V | |
| Función FET | Standard | |
| Tipo FET | N and P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1650pF @ 25V | |
| Potencia - Máx. | 34W (Tc) | |
| Otros nombres | SQJ560EP-T1_GE3DKR SQJ560EP-T1_GE3TR SQJ560EP-T1_GE3CT |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
- FDS4559onsemi
- HP8MA2TB1Rohm Semiconductor
- SQJ500AEP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SI7540ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SQJ570EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- TSM2537CQ RFGTaiwan Semiconductor Corporation
- V12P10-M3/86AVishay General Semiconductor - Diodes Division
- CX2016DB16000D0FLNCCKyocera AVX
- FM24C08ULEM8Fairchild Semiconductor
- SQJ504EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- HP8M51TB1Rohm Semiconductor
- SQJ500AEP-T1_BE3Vishay Siliconix
- TSM6502CR RLGTaiwan Semiconductor Corporation
- SQJB60EP-T1_GE3Vishay Siliconix






