SQJ560EP-T1_GE3

MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
Número de pieza NOVA:
303-2249437-SQJ560EP-T1_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQJ560EP-T1_GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array N and P-Channel 60V 30A (Tc), 18A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Matrices
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base SQJ560
Paquete / CajaPowerPAK® SO-8 Dual
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 30A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Función FETStandard
Tipo FETN and P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1650pF @ 25V
Potencia - Máx. 34W (Tc)
Otros nombresSQJ560EP-T1_GE3DKR
SQJ560EP-T1_GE3TR
SQJ560EP-T1_GE3CT

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