2SCR586D3TL1

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

Número de pieza NOVA:

301-2033578-2SCR586D3TL1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

2SCR586D3TL1

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 5 A 200MHz 10 W Surface Mount TO-252

More Information
Categoría	Transistores - Bipolar (BJT) - Simple
Fabricante	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252
Número de producto base	2SCR586
Serie	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 500mA, 3V
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic	300mV @ 100mA, 2A
Frecuencia - Transición	200MHz
Corriente: corte del colector (máx.)	1µA (ICBO)
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.)	80 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)	5 A
Tipo de transistor	NPN
Potencia - Máx.	10 W
Otros nombres	2SCR586D3TL1CT 2SCR586D3TL1DKR 2SCR586D3TL1TR

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