NSVEMC2DXV5T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553
Número de pieza NOVA:
299-2013143-NSVEMC2DXV5T1G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NSVEMC2DXV5T1G
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) 50V 100mA - 500mW Surface Mount SOT-553
| Categoría | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, prepolarizadas | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-553 | |
| Número de producto base | NSVEMC2 | |
| Serie | - | |
| Paquete / Caja | SOT-553 | |
| Resistencia - Base (R1) | 22kOhms | |
| Resistencia - Base del emisor (R2) | 22kOhms | |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V | |
| Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| Frecuencia - Transición | - | |
| Corriente: corte del colector (máx.) | 500nA | |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 50V | |
| Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 100mA | |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) | |
| Potencia - Máx. | 500mW | |
| Otros nombres | NSVEMC2DXV5T1GOSDKR ONSONSNSVEMC2DXV5T1G NSVEMC2DXV5T1G-ND NSVEMC2DXV5T1GOSCT NSVEMC2DXV5T1GOSTR 2156-NSVEMC2DXV5T1G-OS |
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