RN1902FE,LF(CT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Número de pieza NOVA:
299-2013332-RN1902FE,LF(CT
Número de parte del fabricante:
RN1902FE,LF(CT
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

More Information
CategoríaTransistores - Bipolares (BJT) - Matrices, prepolarizadas
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor ES6
Número de producto base RN1902
Serie-
Paquete / CajaSOT-563, SOT-666
Resistencia - Base (R1)10kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)1kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Frecuencia - Transición250MHz
Corriente: corte del colector (máx.)100nA (ICBO)
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.)50V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100mA
Tipo de transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Potencia - Máx. 100mW
Otros nombresRN1902FE(T5L,F,T)
RN1902FE(T5LFT)TR
RN1902FELF(CTCT
RN1902FELF(CTTR
RN1902FE(T5LFT)TR-ND
RN1902FE(T5LFT)CT
RN1902FE(T5LFT)CT-ND
RN1902FE(T5LFT)DKR
RN1902FELF(CTDKR
RN1902FE,LF(CB
RN1902FE(T5LFT)DKR-ND

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