RN4987FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Número de pieza NOVA:
299-2012758-RN4987FE,LF(CT
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
RN4987FE,LF(CT
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
| Categoría | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, prepolarizadas | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ES6 | |
| Número de producto base | RN4987 | |
| Serie | - | |
| Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 | |
| Resistencia - Base (R1) | 10kOhms | |
| Resistencia - Base del emisor (R2) | 47kOhms | |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
| Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| Frecuencia - Transición | 250MHz, 200MHz | |
| Corriente: corte del colector (máx.) | 500nA | |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 50V | |
| Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 100mA | |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
| Potencia - Máx. | 100mW | |
| Otros nombres | RN4987FE,LF(CB RN4987FELF(CBCT-ND RN4987FELF(CTTR RN4987FELF(CBCT RN4987FELF(CBTR-ND RN4987FELF(CBDKR-ND RN4987FE(T5LFT)CT RN4987FE(T5LFT)DKR-ND RN4987FE(T5LFT)CT-ND RN4987FELF(CTCT RN4987FELF(CBDKR RN4987FE(T5LFT)TR-ND RN4987FELF(CBTR RN4987FE(T5LFT)TR RN4987FELF(CTDKR RN4987FE(T5L,F,T) RN4987FE(T5LFT)DKR |
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