IRFB7530PBF

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MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

Número de pieza NOVA:

312-2263350-IRFB7530PBF

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IRFB7530PBF

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220AB
Número de producto base	IRFB7530
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	HEXFET®, StrongIRFET™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	195A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.7V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	411 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	13703 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	375W (Tc)
Otros nombres	SP001575524