GD10MPS12E
1200V 10A TO-252-2 SIC SCHOTTKY
Número de pieza NOVA:
287-2370879-GD10MPS12E
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
GD10MPS12E
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 29A (DC) Surface Mount TO-252-2
| Categoría | Diodos - Rectificadores - Simples | |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252-2 | |
| Serie | SiC Schottky MPS™ | |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 29A (DC) | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -55°C ~ 175°C | |
| Capacitancia @ Vr, F | 367pF @ 1V, 1MHz | |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5 µA @ 1200 V | |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1.8 V @ 10 A | |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky | |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 1200 V | |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns | |
| Otros nombres | 1242-GD10MPS12ETR 1242-GD10MPS12ECT 1242-GD10MPS12EDKR |
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