E4D20120G

1200 V 20 A SCHOTTKY DIODE (SING

Número de pieza NOVA:

287-2375742-E4D20120G

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

E4D20120G

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 56A (DC) Surface Mount TO-263-2

More Information
Categoría	Diodos - Rectificadores - Simples
Fabricante	Wolfspeed, Inc.
RoHS	1
Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-263-2
Número de producto base	E4D20120
Serie	E-Series, Automotive
Corriente - Media Rectificada (Io)	56A (DC)
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento: unión	-55°C ~ 175°C
Capacitancia @ Vr, F	1474pF @ 0V, 1MHz
Corriente - Fuga inversa @ Vr	200 µA @ 200 µA
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si	1.8 V @ 20 A
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)	1200 V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0 ns
Otros nombres	1697-E4D20120G

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