IRF7420TRPBF

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-SO
Basisproduktnummer	IRF7420
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	HEXFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	11.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 4.5 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max)	±8V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	3529 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta)
Andere Namen	IRF7420TRPBFTR-ND IRF7420TRPBF-ND IRF7420PBFCT IRF7420PBFDKR SP001571942 *IRF7420TRPBF IRF7420PBFTR

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