SI4465ADY-T1-GE3

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-SOIC
Basisproduktnummer	SI4465
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	13.7A (Ta), 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	85 nC @ 4.5 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max)	±8V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8 V
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 6.5W (Tc)
Andere Namen	SI4465ADYT1GE3 SI4465ADY-T1-GE3DKR SI4465ADY-T1-GE3TR SI4465ADY-T1-GE3CT

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