FQB19N20LTM
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
NOVA-Teilenummer:
312-2288174-FQB19N20LTM
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FQB19N20LTM
Standardpaket:
800
Technisches Datenblatt:
N-Channel 200 V 21A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D²PAK (TO-263) | |
| Basisproduktnummer | FQB19N20 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 21A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 10.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2200 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.13W (Ta), 140W (Tc) | |
| Andere Namen | FQB19N20LTM-ND FQB19N20LTMCT FQB19N20LTMDKR FQB19N20LTMTR |
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