FQB34N20LTM
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
NOVA-Teilenummer:
312-2288723-FQB34N20LTM
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FQB34N20LTM
Standardpaket:
800
Technisches Datenblatt:
N-Channel 200 V 31A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D²PAK (TO-263) | |
| Basisproduktnummer | FQB34N20 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 31A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 15.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3900 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.13W (Ta), 180W (Tc) | |
| Andere Namen | FQB34N20LTMTR FQB34N20LTM-ND FQB34N20LTMCT FQB34N20LTMDKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- FQB19N20LTMonsemi
- MMBT3906-7-FDiodes Incorporated
- ZXMS6006SGTADiodes Incorporated
- SQM60N20-35_GE3Vishay Siliconix
- PHB33NQ20T,118Nexperia USA Inc.
- MMBT4401LT1Gonsemi
- IRFS4620TRLPBFInfineon Technologies
- LM2901PTSTMicroelectronics
- SK3200-TPMicro Commercial Co
- NC7WZ14EP6Xonsemi
- FDB33N25TMonsemi
- MC33179DTBR2Gonsemi











