SI4842BDY-T1-GE3

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-SOIC
Basisproduktnummer	SI4842
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	28A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	3650 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 6.25W (Tc)
Andere Namen	SI4842BDY-T1-GE3DKR SI4842BDY-T1-GE3TR SI4842BDY-T1-GE3CT SI4842BDYT1GE3

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