IXTA1N200P3HV

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MOSFET N-CH 2000V 1A TO263

NOVA-Teilenummer:

312-2361358-IXTA1N200P3HV

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

IXTA1N200P3HV

Standardpaket:

Technisches Datenblatt:

N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	IXYS
RoHS	1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TO-263AA
Basisproduktnummer	IXTA1
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Polar P3™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	1A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	23.5 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	2000 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	646 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)