SCT2750NYTB
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
NOVA-Teilenummer:
312-2263409-SCT2750NYTB
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SCT2750NYTB
Standardpaket:
400
Technisches Datenblatt:
N-Channel 1700 V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-268 | |
| Basisproduktnummer | SCT2750 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.9A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 975mOhm @ 1.7A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 630µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 18 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (Max) | +22V, -6V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1700 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 275 pF @ 800 V | |
| Verlustleistung (max.) | 57W (Tc) | |
| Andere Namen | SCT2750NYTBDKR SCT2750NYTBTR SCT2750NYTBCT |
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