IPD50N06S4L12ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
NOVA-Teilenummer:
312-2287726-IPD50N06S4L12ATMA2
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPD50N06S4L12ATMA2
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO252-3-11 | |
| Basisproduktnummer | IPD50N06 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±16V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2890 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 50W (Tc) | |
| Andere Namen | INFINFIPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2DKR 2156-IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2TR SP001028640 IPD50N06S4L12ATMA2CT |
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