CSD17578Q5AT

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Texas Instruments
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-VSONP (5x6)
Basisproduktnummer	CSD17578
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	NexFET™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	25A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	22.3 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1510 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	3.1W (Ta), 42W (Tc)
Andere Namen	296-41099-2 296-41099-1 296-41099-6 2156-CSD17578Q5AT TEXTISCSD17578Q5AT

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