BSC886N03LSGATMA1

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TDSON-8-1
Basisproduktnummer	BSC886
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	13A (Ta), 65A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	26 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2100 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 39W (Tc)
Andere Namen	BSC886N03LS GTR-ND BSC886N03LS GDKR-ND BSC886N03LS GCT-ND BSC886N03LSGATMA1CT BSC886N03LS GCT BSC886N03LSGATMA1DKR BSC886N03LS GDKR BSC886N03LS G-ND BSC886N03LSGATMA1TR 2156-BSC886N03LSGATMA1 SP000475950 IFEINFBSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LS G BSC886N03LSG

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!