IPD60R600C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
NOVA-Teilenummer:
312-2282405-IPD60R600C6ATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPD60R600C6ATMA1
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO252-3 | |
| Basisproduktnummer | IPD60R600 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ C6 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 7.3A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 440 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 63W (Tc) | |
| Andere Namen | INFINFIPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1-ND IPD60R600C6ATMA1TR SP001117726 IPD60R600C6ATMA1DKR IPD60R600C6ATMA1CT 2156-IPD60R600C6ATMA1 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
1N5347BGonsemi
STD7NM60NSTMicroelectronics
FDD6N50TM-WSonsemi
LT3798EMSE#PBFAnalog Devices Inc.
FAN3111ESXonsemi- STD7N60M2STMicroelectronics
SI1869DH-T1-E3Vishay Siliconix
DMN5L06TK-7Diodes Incorporated
