FDD6N50TM-WS
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2287804-FDD6N50TM-WS
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FDD6N50TM-WS
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252AA | |
| Basisproduktnummer | FDD6N50 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | UniFET™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 9400 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 89W (Tc) | |
| Andere Namen | FDD6N50TM-WSDKR FDD6N50TM-WSTR FDD6N50TM_WSCT FDD6N50TMWS FDD6N50TM_WSDKR FDD6N50TM_WSCT-ND FDD6N50TM_WSTR-ND FDD6N50TM_WSDKR-ND FDD6N50TM_WS FDD6N50TM_WSTR FDD6N50TM-WSCT |
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