IRF630

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MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

NOVA-Teilenummer:

312-2263562-IRF630

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

IRF630

Standardpaket:

Technisches Datenblatt:

N-Channel 200 V 9A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	STMicroelectronics
RoHS	1
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten	TO-220
Basisproduktnummer	IRF6
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	MESH OVERLAY™ II
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-220-3
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	700 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	75W (Tc)
Andere Namen	497-2757-5 497-2757-5-NDR