IRF630NPBF

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MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB

NOVA-Teilenummer:

312-2280765-IRF630NPBF

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

IRF630NPBF

Standardpaket:

100

Technisches Datenblatt:

N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten	TO-220AB
Basisproduktnummer	IRF630
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	HEXFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	9.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-220-3
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	575 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	82W (Tc)
Andere Namen	*IRF630NPBF SP001564792