SI7812DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
NOVA-Teilenummer:
312-2279475-SI7812DN-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI7812DN-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 75 V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 1212-8 | |
| Basisproduktnummer | SI7812 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 16A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 7.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 840 pF @ 35 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) | |
| Andere Namen | SI7812DN-T1-GE3-ND SI7812DNT1GE3 SI7812DN-T1-GE3CT SI7812DN-T1-GE3TR SI7812DN-T1-GE3DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SI7232DN-T1-GE3Vishay Siliconix
SI7812DN-T1-E3Vishay Siliconix
ASE-25.000MHZ-LC-TAbracon LLC
USB2534-1080AEN-TRMicrochip Technology
SN74AUP2G34DCKRTexas Instruments
ADP196ACPZN-R7Analog Devices Inc.
SQ7415AENW-T1_GE3Vishay Siliconix
USB5806T-I/KDMicrochip Technology
