SI7812DN-T1-E3

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® 1212-8
Basisproduktnummer	SI7812
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	16A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	37mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	840 pF @ 35 V
Verlustleistung (max.)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Andere Namen	SI7812DNT1E3 SI7812DN-T1-E3TR SI7812DN-T1-E3DKR SI7812DN-T1-E3CT

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!