IPD50P04P413ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
NOVA-Teilenummer:
312-2296302-IPD50P04P413ATMA2
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPD50P04P413ATMA2
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO252-3-313 | |
| Basisproduktnummer | IPD50P04 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS®-P2 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 85µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3670 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 58W (Tc) | |
| Andere Namen | 448-IPD50P04P413ATMA2DKR 448-IPD50P04P413ATMA2CT SP002319830 448-IPD50P04P413ATMA2TR |
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