LND01K1-G
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
NOVA-Teilenummer:
312-2274209-LND01K1-G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
LND01K1-G
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 9 V 330mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-5
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 125°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-5 | |
| Basisproduktnummer | LND01 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 330mA (Tj) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 0V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 100mA, 0V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
| FET-Funktion | Depletion Mode | |
| Paket/Koffer | SC-74A, SOT-753 | |
| Vgs (Max) | +0.6V, -12V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 9 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 46 pF @ 5 V | |
| Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta) | |
| Andere Namen | LND01K1-GDKR LND01K1-GTR LND01K1-GCT LND01K1-G-ND |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SI2342DS-T1-GE3Vishay Siliconix- BSS159NH6906XTSA1Infineon Technologies
BSP149H6906XTSA1Infineon Technologies- 2SK209-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
- BSS159NH6327XTSA2Infineon Technologies
DN1509K1-GMicrochip Technology
LND150N3-GMicrochip Technology
SI1050X-T1-GE3Vishay Siliconix
DMN1260UFA-7BDiodes Incorporated
CPC3701CTRIXYS Integrated Circuits Division
BSS169H6906XTSA1Infineon Technologies
