SI1050X-T1-GE3

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MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6

NOVA-Teilenummer:

312-2263398-SI1050X-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI1050X-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

N-Channel 8 V 1.34A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	SC-89 (SOT-563F)
Basisproduktnummer	SI1050
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	1.34A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	11.6 nC @ 5 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	SOT-563, SOT-666
Vgs (Max)	±5V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	585 pF @ 4 V
Verlustleistung (max.)	236mW (Ta)
Andere Namen	SI1050X-T1-GE3DKR SI1050X-T1-GE3CT SI1050XT1GE3 SI1050X-T1-GE3TR