IPB80N08S2L07ATMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TO263-3-2
Basisproduktnummer	IPB80N08
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	233 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	5400 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Andere Namen	IPB80N08S2L07ATMA1CT IPB80N08S2L-07-ND IPB80N08S2L-07 SP000219051 IPB80N08S2L-07DKR-ND IPB80N08S2L07 IPB80N08S2L-07DKR IPB80N08S2L07ATMA1DKR IPB80N08S2L07ATMA1TR IPB80N08S2L-07CT IPB80N08S2L-07CT-ND IPB80N08S2L-07TR-ND

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