RSJ650N10TL

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	LPTS
Basisproduktnummer	RSJ650
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	65A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	260 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	10780 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Andere Namen	RSJ650N10TLDKR RSJ650N10TLCT RSJ650N10TLTR

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