FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
NOVA-Teilenummer:
312-2285244-FQT1N80TF-WS
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FQT1N80TF-WS
Standardpaket:
4,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 800 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-223-3 | |
| Basisproduktnummer | FQT1N80 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 200mA (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 100mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-261-3 | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 195 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.1W (Tc) | |
| Andere Namen | FQT1N80TF_WSTR-ND FQT1N80TF_WSCT FQT1N80TF-WSDKR FQT1N80TF_WSDKR FQT1N80TF_WSTR FQT1N80TF-WSCT FQT1N80TFWS FQT1N80TF_WSDKR-ND FQT1N80TF-WSTR FQT1N80TF_WSCT-ND |
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