STN1NK80Z
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
NOVA-Teilenummer:
312-2287902-STN1NK80Z
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
STN1NK80Z
Standardpaket:
4,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 800 V 250mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-223 | |
| Basisproduktnummer | STN1NK80 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | SuperMESH™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 250mA (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 160 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Tc) | |
| Andere Namen | 497-4669-6 497-4669-2 497-4669-1 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- LT1210CT7#PBFAnalog Devices Inc.
- TSM1N80CW RPGTaiwan Semiconductor Corporation
- FQT1N80TF-WSonsemi
- 2N7002NTE Electronics, Inc
- TSM1NB60CW RPGTaiwan Semiconductor Corporation
- STN1NK60ZSTMicroelectronics
- UCC27511DBVRTexas Instruments
- STN1HNK60STMicroelectronics






