SISS76LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2361471-SISS76LDN-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SISS76LDN-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 1212-8SH | |
| Basisproduktnummer | SISS76 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 3.3V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.25mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 33.5 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® 1212-8SH | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 70 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2780 pF @ 35 V | |
| Verlustleistung (max.) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SISS76LDN-T1-GE3DKR 742-SISS76LDN-T1-GE3CT 742-SISS76LDN-T1-GE3TR |
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