SIS176LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
NOVA-Teilenummer:
312-2285550-SIS176LDN-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIS176LDN-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 70 V 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 1212-8 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 3.3V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 70 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1660 pF @ 35 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 39W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SIS176LDN-T1-GE3TR 742-SIS176LDN-T1-GE3DKR 742-SIS176LDN-T1-GE3CT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon Technologies
TSPB5H100STaiwan Semiconductor Corporation
DMT6009LFG-7Diodes Incorporated
SISS76LDN-T1-GE3Vishay Siliconix
PMEG6030EVPXNexperia USA Inc.
RTR020N05HZGTLRohm Semiconductor
PDS5100-13Diodes Incorporated
13324-T086Sumida America Components Inc.
SIS178LDN-T1-GE3Vishay Siliconix
SM91502ALEBourns Inc.
