SIR670DP-T1-GE3

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer	SIR670
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SO-8
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2815 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)	5W (Ta), 56.8W (Tc)
Andere Namen	SIR670DP-T1-GE3DKR SIR670DP-T1-GE3TR SIR670DP-T1-GE3CT

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