SQJA62EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
NOVA-Teilenummer:
312-2287897-SQJA62EP-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQJA62EP-T1_GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SO-8 | |
| Basisproduktnummer | SQJA62 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 60A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 5100 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 68W (Tc) | |
| Andere Namen | SQJA62EP-T1_GE3CT SQJA62EP-T1_GE3TR SQJA62EP-T1_GE3DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SIR186DP-T1-RE3Vishay Siliconix
ZTL431AFTADiodes Incorporated
TSM8588CS RLGTaiwan Semiconductor Corporation
SQJA00EP-T1_GE3Vishay Siliconix
CSD18543Q3ATexas Instruments
ZXT849KTCDiodes Incorporated- SIR670DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SI2323CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
5988070107FDialight