BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
NOVA-Teilenummer:
312-2281367-BSZ900N15NS3GATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSZ900N15NS3GATMA1
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 150 V 13A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TSDSON-8 | |
| Basisproduktnummer | BSZ900 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 13A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 510 pF @ 75 V | |
| Verlustleistung (max.) | 38W (Tc) | |
| Andere Namen | BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3 GCT-ND BSZ900N15NS3GATMA1TR BSZ900N15NS3 GCT BSZ900N15NS3 GDKR BSZ900N15NS3GATMA1DKR BSZ900N15NS3GATMA1CT BSZ900N15NS3 GDKR-ND SP000677866 BSZ900N15NS3 GTR-ND BSZ900N15NS3 G-ND |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SDM1100LP-7Diodes Incorporated
SISS98DN-T1-GE3Vishay Siliconix
PNE20020ERXNexperia USA Inc.
CMAD4448 TR PBFREECentral Semiconductor Corp
MD1210K6-GMicrochip Technology
BZX884B5V1L-HG3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BSC900N20NS3GATMA1Infineon Technologies
BZX384-B47,115Nexperia USA Inc.
DFLS1200Q-7Diodes Incorporated
SI7322ADN-T1-GE3Vishay Siliconix- IRFHM3911TRPBFInfineon Technologies
