IRFHM3911TRPBF
MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
NOVA-Teilenummer:
312-2285416-IRFHM3911TRPBF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IRFHM3911TRPBF
Standardpaket:
4,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 3.2A (Ta), 20A (Tc) 2.8W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-PQFN (3x3) | |
| Basisproduktnummer | IRFHM3911 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.2A (Ta), 20A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 6.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 760 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 29W (Tc) | |
| Andere Namen | IRFHM3911TRPBF-ND 448-IRFHM3911TRPBFDKR 448-IRFHM3911TRPBFTR SP001575850 448-IRFHM3911TRPBFCT |
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