FQT5P10TF
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
NOVA-Teilenummer:
312-2281100-FQT5P10TF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FQT5P10TF
Standardpaket:
4,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 100 V 1A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-223-4 | |
| Basisproduktnummer | FQT5P10 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 250 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Tc) | |
| Andere Namen | FQT5P10TF-ND FQT5P10TFCT ONSFSCFQT5P10TF FQT5P10TFTR FQT5P10TFDKR 2156-FQT5P10TF-OS |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- SMAZ12-13-FDiodes Incorporated
- AT24CS64-SSHM-TMicrochip Technology
- FDN337Nonsemi
- SN74LVC1G17DCKRTexas Instruments
- FQT2P25TFonsemi
- KSZ8041NLI-TRMicrochip Technology
- ULN2803ADWRTexas Instruments
- BSP321PH6327XTSA1Infineon Technologies
- FSV10100Vonsemi
- BSP322PH6327XTSA1Infineon Technologies
- IRFL9110TRPBFVishay Siliconix
- FDB33N25TMonsemi











