BSP321PH6327XTSA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-SOT223-4
Basisproduktnummer	BSP321
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	SIPMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	980mA (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 980mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 380µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	319 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	1.8W (Ta)
Andere Namen	448-BSP321PH6327XTSA1TR 448-BSP321PH6327XTSA1DKR 448-BSP321PH6327XTSA1CT BSP321PH6327XTSA1-ND SP001058782 2156-BSP321PH6327XTSA1 INFINFBSP321PH6327XTSA1

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